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PD - 95935B
IRFB3507PbF
IRFS3507PbF
IRFSL3507PbF
Applications
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
HEXFET ? Power MOSFET
l Uninterruptible Power Supply
l High Speed Power Switching
l Hard Switched and High Frequency Circuits
l Lead-Free
G
D
S
V DSS
R DS(on) typ.
max.
I D
75V
7.0m
8.8m
97A
Benefits
l
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
GD
G
l
l
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
S
D
G
TO-220AB
IRFB3507PbF
S
D 2 Pak
IRFS3507PbF
S
D
TO-262
IRFSL3507PbF
Absolute Maximum Ratings
Symbol
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
T J
T STG
Parameter
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
97
69
390
190
1.3
± 20
5.0
-55 to + 175
300
Units
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
(1.6mm from case)
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
Avalanche Characteristics
10lb in (1.1N m)
E AS (Thermally limited)
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
280
See Fig. 14, 15, 16a, 16b
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
R θ JC
R θ CS
R θ JA
R θ JA
Symbol
Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220
Junction-to-Ambient, TO-220
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D 2 Pak
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.77
–––
62
40
Units
°C/W
www.irf.com
1
01/20/06
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